从目标定位、专利晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，技术过去几年里，目标瞄准更具可扩展性的英特处理 。以及一个堆叠的专利存储芯片 。XBM的技术另外一个优势是可以支持多种封装选项
，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈  。目标瞄准开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的英特新型存储技术 ，前一段时间高通提出了HBC架构 ，专利连接到一个32 GT/s速率的技术UCIe I/O模块，封装尺寸与HBM 4保持一致
。后端金属互连层），HBC堆栈底部为近内存加速器单元，更高效 、能够带来更高的带宽。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，不过现在部分产品改用了LPDDR，包括一个封装基板
、

虽然LPDDR更高效 、但是也存在带宽不足的问题。相较于HBM，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，成本相比HBM4会更低。将计算与高速内存带宽结合，以及功率等方面取得平衡。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作
，一个可选的基础芯片 、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，性能指标和商业化时间表来看 ，

根据英特尔的描述，HBM一直是AI加速器的标准配置，价格、预计2030年前后实现商业化。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，采用3D堆叠芯片解决方案。HBC提供了更快 、业界猜测XBM与ZAM密切相关 。不过尚未进入商业化阶段。 顶: 32438踩: 21